HITACHI日立离子研磨仪挡板06E-4616青岛平山郭-158-54210565
HITACHI日立离子研磨仪挡板06E-4616青岛平山郭-158-54210565
HITACHI日立离子研磨仪挡板06E-4616青岛平山郭-158-54210565
日立イオンミリング装置の最上位機種。 ついにクラス最速の断面ミリングレート を達成しました。 高スループット断面ミリングによって、電子顕微鏡用の断面試料作製がさらに身近になりました
共通 | |
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使用ガス | Ar(アルゴン)ガス |
加速電圧 | 0~8 kV |
断面ミリング | |
最大ミリングレート(材料Si) | 1 mm/h*1 以上 |
ビーム照射範囲 | 10 mm*2 |
最大試料サイズ | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
試料移動範囲 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
イオンビーム間欠照射機能 | 標準装備 |
スイング角度 | ±15°、±30°、±40° |
平面ミリング | |
最大加工範囲 | φ32 mm |
最大試料サイズ | φ50 × 25(H) mm |
イオンビーム偏心量 | X 0~+5 mm |
イオンビーム間欠照射機能 | 標準装備 |
回転速度 | 1 rpm, 25 rpm |
傾斜角度 | 0~90° |
*1マスクエッジからSiを100 µm突出させて1時間加工した際の最大深さ。
*2広域断面ミリング機能使用時。
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